RFスパッタ酸化タンタル薄膜のTSC特性と電極酸化層の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-033

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): TSC in Tantalum Oxide Films Prepared by RF Sputtering and Influence of Electrode Oxide Layer

著者名: 川俣 常雄(信州大学),伊東 栄次(信州大学),宮入 圭一(信州大学)

著者名(英語): Tsuneo Kawamata(Shinshu University ),Eiji Ito(Shinshu University ),Keiichi Miyairi(Shinshu University )

キーワード: 酸化タンタル薄膜|TSC|誘電分散|空間電荷|電極酸化層

要約(日本語): 　高絶縁材料である酸化タンタルは本来無極性の絶縁体であるが、反応性RFスパッタ法により成膜した酸化タンタル薄膜は130℃以上になると低周波領域で分極を生ずるという特性が見られた。この分極の大きさや発生周波数は使用する電極金属や試料の膜厚によって異なることから、電極界面におけるキャリアの蓄積が大きく影響すると考えられる。そこで本研究では電極酸化膜を形成しにくいAu電極試料と電極酸化膜の形成しやすいAl電極試料のTSCを測定することで酸化タンタル薄膜の分極現象を解析し電極界面におけるキャリアの挙動を検討する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 118 Kバイト