界面絶縁層が負性抵抗特性に及ぼす影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-114

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Influence of Insulating Layer at Interface on Negaive-resistance Characteristics

著者名: 川本 昂(福井工業高等専門学校),鈴置 保雄(名古屋大学),水谷 照吉(名古屋大学)

著者名(英語): Akira Kawamoto(Fukui National College of Technology),Yasuo Suzuoki(Nagoya University),Teruyoshi Mizutani(Nagoya University)

キーワード: 負性抵抗|界面|絶縁層|正孔|熱ＣＶＤ|トンネル輸送

要約(日本語): 色素分散型負性抵抗素子は、絶縁性高分子に色素をドープしたスイッチング素子で、室温で容易に動作する。これを実用化するには負性抵抗の発現機構の解明が不可欠であるが、未だ不明である。負性抵抗の出現と電極界面の絶縁層との関連について明らかにするため、陽極であるＩＴＯ電極面上に絶縁性高分子のＰＰＸあるいはＰＶＫの薄膜を熱ＣＶＤ法で形成し、さらにホール輸送材料のＴＰＤ、陰極（Ｍｇ／Ａｇ）を積層した素子を作製して陽極界面の絶縁層が負性抵抗特性に及ぼす影響について検討した。その結果、ＩＴＯ/高分子/ＴＰＤ/Ｍｇ/Ａｇ素子

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 101 Kバイト