プラズマCVD法によるSiC薄膜の生成とその諸特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-153

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Preparation and Electrical Properties of Silicon Carbide Thin Films formed by Plasma CVD of SiH₂CL₂

著者名: 傳田英紀 (信州大学),水野 佳之(信州大学),小沼義治 (信州大学),上村 喜一(信州大学),中尾 真人(信州大学)

著者名(英語): Hideki Denda(Shinsyu-University),Yoshiyuki MIzuno(Shinsyu-University),Yoshiharu Onuma(Shinsyu-University),Kiichi Kamimura(Shinsyu-University),Masato Nakao(Shinsyu-University)

キーワード: 薄膜|炭化珪素|半導体

要約(日本語): 電力変換素子などのデバイスに用いられているシリコンには、これ以上の電力損失軽減は期待できず、次期材料の開発が望まれている。このような状況の下、禁制帯幅が大きく、熱的・化学的に安定であるSiCは、次世代の耐環境性低損失電力素子用基板などとして注目されている。SiCの生成には通常2000℃以上の高温過程が必要であるが、プラズマCVD法を用いれば通常より低い温度でのSiC薄膜の生成が可能である。本研究では、ガスソースとして、シランガスよりも取り扱いやすいジクロロシランガスを用いて結晶性SiC薄膜を生成し、その

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 93 Kバイト