1.7KVクラスＩＧＢＴのＬＴＤＳ(Long Term D.C.Stability)

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-013

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Long Term D.C.Stadility of 1.7KV Class IGBT

著者名: 石沢 慎一(福菱セミコンエンジニアリング),望月 浩一(福菱セミコンエンジニアリング),佐藤 克己(三菱電機),小西 譲(三菱電機)

著者名(英語): Shinichi Ishizawa(Fukuryo Semicon Engineering Corporation ),Kouichi Mochiduki(Fukuryo Semicon Engineering Corporation ),Katsumi Satou(Mitsubishi Electric Corporation),Yuzuru Konishi(Mitsubishi Electric Corporation)

要約(日本語): 高耐圧素子における逆バイアス印加時の突然破壊について、様々な報告がされている。今回1.7KVクラスのIGBTについても同様の故障が発生することが実験的に判明した。この故障率とデバイス内の電界との相関を実験及びシミュレーションとで合せ込みを行った結果について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 94 Kバイト