タッチモード容量型圧力センサの破壊強度に及ぼすダイアフラム表面形態の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-123

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Morphological Influence of Diaphragm Surface on Fracture Toughness of Touch Mode Capacitive Pressure Sensor

著者名: 山本 敏(フジクラ),佐藤昌啓 (フジクラ),西村 仁(フジクラ),中尾 知(フジクラ)

著者名(英語): Satoshi Yamamoto(Micro Device Department,Electron Device Laboratory),Masahiro Sato(Micro Device Department,Electron Device Laboratory),Hitoshi Nishimura(Micro Device Department,Electron Device Laboratory),Osamu Nakao(Micro Device Department,Electron Device Laboratory)

キーワード: タッチモード容量型圧力センサ|ダイアフラム|破壊強度

要約(日本語): 我々は高圧力での耐久性が要求される用途に対して、タッチモード容量型圧力センサを開発した。この開発において、シリコンから形成されたダイアフラムの表面形態が、その破壊耐圧に及ぼす影響を系統的に検討した。この検討により、破壊耐圧が50kgf/cm²以上と高い値を示したセンサのダイアフラム表面形態は、非常に平坦であることが明らかとなった。一方、40kgf/cm²程度の印加圧力でダイアフラムにクラックが発生したセンサのダイアフラム表面には、直径0.2μm程度のピッ

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 348 Kバイト