Thin Gate Schottky Diode: Comparative Studies for Different SiC Wafers and Application to Gas Sensors

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-151

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Thin Gate Schottky Diode: Comparative Studies for Different SiC Wafers and Application to Gas Sensors

著者名: Khan Shabbir(Saitama University),Ken Ogata(Saitama University),Wenyi Zhang(Saitama University),Hidekazu Uchida(Saitama University),Teruaki Katsube(Saitama University)

著者名(英語): khan Shabbir(Saitama University),Ken Ogata(Saitama University),Wenyi Zhang(Saitama University),Hidekazu Uchida(Saitama University),Teruaki Katsube(Saitama University)

要約(日本語): Sensing certain gases, such as NO, NO2 etc at high temperature becomes a very important application for chemical sensors and pollution control technology. For high thermal and chemical stability of SiC, we try to investigate the characteristics for both e

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 90 Kバイト