背面入射　フィールドエミッタ型光センサの製作

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-179

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Fabrication of Back-irradiation type Photosensitive Field Emitter

著者名: 沖田 悦崇(豊橋技術科学大学),小野 貴史(豊橋技術科学大学),澤田 和明(豊橋技術科学大学),森安 嘉貴(旭化成工業),高尾 英邦(豊橋技術科学大学),石田 誠(豊橋技術科学大学)

著者名(英語): Yoshitaka Okita(Toyohashi University of Technology ),Takashi Ono(Toyohashi University of Technology ),Kazuaki Sawada(Toyohashi University of Technology ),Yoshitaka Moriyasu(Asahi Chemical Industry Co.,Ltd.),Hidekuni Takao(Toyohashi University of Technology ),Makoto Ishida(Toyohashi University of Technology )

キーワード: 光電子放出面|フィールドエミッタ|フォトダイオード|SOS基板|フォトセンシティブフローティングフィールドエミッタ|2次元分布光検出

要約(日本語): 光を吸収すると電子を放出する光電子放出面は様々な分野で用いられている。しかしながら、代表的な可視光に感度をもつ光電子放出面においても、その量子効率は最大でも30％以下と非常に小さい。そこで，私たちはシリコンフィールドエミッタの内部にpn接合を設けることで，70%以上の量子効率を持つPhotosensitive Floating Field Emitter(PFFE)の試作を行っている。本報告ではSOS(Silicon on Sapphire)基板を用いた背面入射型PFFE/SOSの試作を行ったので報告する

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 258 Kバイト