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パワー半導体チップの電気・熱連成シミュレーション
パワー半導体チップの電気・熱連成シミュレーション
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カテゴリ: 全国大会
論文No: 4-005
グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集
発行日: 2001/03/21
タイトル(英語): Electrothermal Simulation of a Power Semiconductor Chip
著者名: 碓井 修(三菱電機),武藤 浩隆(三菱電機),菊永 敏之(三菱電機)
著者名(英語): Osamu Usui(Mitsubishi Electric Corporation),Hirotaka Muto(Mitsubishi Electric Corporation),Toshiyuki Kikunaga(Mitsubishi Electric Corporation)
キーワード: 電気・熱連成シミュレーション|IGBTチップ|温度分布
要約(日本語): パワーモジュルにおける半導体チップの表面温度は、Alワイヤとチップ接合部とのパワーサイクル寿命を決める要因である。このため、チップ表面の温度分布を正確に把握することはモジュールの放熱設計、信頼性設計上極めて重要である。我々は、IGBTチップのIc-Vce特性の温度依存性とエミッタ電極の抵抗を考慮して、ワイヤボンド接合位置の異なるチップの表面温度分布を電気・熱連成シミュレーションし、実測結果と比較した。その結果、本シミュレーションによるIGBTチップの表面温度分布は、実測値とほぼ一致した。電気・熱連成シミュ
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 633 Kバイト
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