超低Ron　PchﾄﾚﾝﾁｹﾞｰﾄﾊﾟﾜｰMOSFETの特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-006

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Characteristics of Super Low resistance Pch Trench Gate Power-MOSFET

著者名: 高橋 純司(東芝セミコンダクター社),大田 剛志(東芝セミコンダクター社),奥村 秀樹(東芝セミコンダクター社),高野 彰夫(東芝セミコンダクター社),亀田 充宏(東芝セミコンダクター社)

著者名(英語): Junzi Takahashi(TOSHIBA CORPORATION SEMICONDUCTOR COMPANY),Tsuyoshi Oota(TOSHIBA CORPORATION SEMICONDUCTOR COMPANY),Hideki Okumura(TOSHIBA CORPORATION SEMICONDUCTOR COMPANY),Akio Takano(TOSHIBA CORPORATION SEMICONDUCTOR COMPANY),Mitsuhiro Kameda(TOSHIBA CORPORATION SEMICONDUCTOR COMPANY)

キーワード: Pchﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ|低抵抗|ﾄﾚﾝﾁｹﾞｰﾄ

要約(日本語): ノート型パソコン、カメラ一体型ＶＴＲ等の携帯機器市場の成長に伴い、小型パッケージに搭載された低耐圧ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴの需要は増大している。これらの素子はパワーマネージメントやリチウムイオン電池保護回路で用いられることが多く、機器の長時間動作を可能にする為に超低オン抵抗を要求される。これらのニーズに応えるため、ＳＯＰ?８パッケージ搭載、３０Ｖ耐圧の超低オン抵抗ＰチャネルトレンチゲートパワーＭＯＳＦＥＴを開発した。集積度の飛躍的な増加により、当社従来品と比較してＶｇ＝４Vの時９．１ｍΩの低減（約４８

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 242 Kバイト