ＪＢＳ構造によるＳＢＤの損失低減と高耐圧化

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-007

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Reduction conduction losses of SBD and making "breakdown voltage of SBD" higher by using JBS structure

著者名: 森口 浩治(東芝セミコンダクター社),内田 正太郎(東芝セミコンダクター社),鉾本 吉孝(東芝セミコンダクター社),祢津 英継(東芝セミコンダクター社),堀口 直裕(東芝セミコンダクター社)

著者名(英語): Kouji Moriguchi(Medium power semiconductor device marketing & engineering dept.),Shotaro Uchida(Medium power semiconductor device marketing & engineering dept.),Yoshitaka Hokomoto(Medium power semiconductor device marketing & engineering dept.),Hidetsugu Netsu(Medium power semiconductor device marketing & engineering dept.),Naohiro Horiguchi(Medium power semiconductor device marketing & engineering dept.)

キーワード: ショットキーバリアダイオード|ＪＢＳ|アバランシェ|逆電流（ＩＲ）|順電圧（ＶＦ）

要約(日本語): ＪＢＳ構造によるＳＢＤの損失低減と高耐圧化電子機器用電源の二次側整流素子としては、高速スイッチング，低損失，高耐圧化，更には高アバランシェ耐量の要求が高まっている。今回、ＪＢＳ構造の最適設計により、ＩＲとＶＦのトレードオフを改善して損失の低減化を図った１００Ｖ及び１２０Ｖ耐圧のＳＢＤを実現した。(100V;30NWK2C48／120V;30QWK2C48）

原稿種別: 日本語

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