水の衝突帯電によるシリコン酸化膜の絶縁破壊

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-176

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Breakdown of Silicon Oxide Films during Impact Electrification with Pure Water

著者名: 早川 信吾(神奈川工科大学),下川 博文(神奈川工科大学)

著者名(英語): shingo Hayakawa(Kanagawa Institute of Technology),Hirofumi shimokawa(Kanagawa Institute of Technology)

キーワード: シリコン酸化膜|衝突帯電|超純水|洗浄|絶縁破壊

要約(日本語): 半導体製造過程において洗浄工程は各プロセスのつなぎ手として重要な項目として位置付けられている。洗浄の際、ウェハ上に生成されたシリコン酸化膜が水との電荷交換により、表面の素子が破壊されることがある。本報告は、水をシリコン酸化膜に衝突させたときの帯電状況から酸化膜の絶縁破壊機構を明らかにすることを目的としている。衝突した水は正にウェハは負に帯電する。この時の水の電荷量は水の流速、総流量によって増加し、酸化膜の厚さには依存していないことがわかった。また、水は酸化膜の帯電状況とは無関係に電荷交換を行っていることが明らかになった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 199 Kバイト