VFT電圧に対するSF6ガスの平等電界下での破壊確率分布とV-t特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-241

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Breakdown probability distribution and V-t characteristics under the uniform field in SF6 for VFT voltage

著者名: 福元 晋(九州工業大学),高尾 浩史(九州工業大学),大塚信也 (九州工業大学),池田 正巳(九州工業大学),萩森英一 (九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学)

著者名(英語): Susumu Fukumoto(Kyushu Institute of Technology),Hiroshi Takao(Kyushu Institute of Technology),Shinya Ohtsuka(Kyushu Institute of Technology),Masami Ikeda(Kyushu Institute of Technology),Eiichi Haginomori(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: VFT電圧|SF6ガス|フラッシオーバ|ワイブル分布|Ｖ?ｔ特性

要約(日本語): 　筆者らは、GISの断路器の開閉操作により発生する急峻なサージ（VFTサージ）に着目している。これまで、VFT電圧に対する油中ギャップおよび油浸紙の絶縁破壊特性について検討してきた。また一方では、雷インパルス電圧に対するSF6ガス中の絶縁特性を調査している。本稿では，VFT電圧に対するSF6ガス中の平等電界下でのフラッシオーバ電圧を検討した。その結果、VFT電圧のフラッシオーバ電圧は雷インパルス電圧より約1.5倍から2.3倍上昇し、ガス圧力にほぼ比例して上昇すること、および放電形成時間が長くなることが分かった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 152 Kバイト