全面導電釉がいしの釉薬抵抗変化に関する基礎研究(その３)

カテゴリ: 全国大会

論文No: 7-070

グループ名: 【全国大会】平成13年電気学会全国大会論文集

発行日: 2001/03/21

タイトル(英語): Basic Investigation on Change of Resistance of Semiconducting Graze For Insulator(part 3)

著者名: 辻村 理(名古屋工業大学),水野 幸男(名古屋工業大学),加藤 栄吉(名城大学),内藤 克彦(名城大学),森 重男(日本ガイシ),鈴木 良博(日本ガイシ)

著者名(英語): Osamu Tsuzimura(Nagoya Institute of Technology),Yukio Mizuno(Nagoya Institute of Technology),Eikichi Kato(Meijo University),Katsuhiko Naito(Meijo University),Shigeo Mori(NGK Insulators,Ltd.),Yoshihiro Suzuki(NGK Insulators,Ltd.)

キーワード: 全面導電釉がいし

要約(日本語): 全面導電釉がいしは、半導電釉薬による均圧効果とジュール熱による発熱・乾燥効果により優れた耐汚損特性を有するが、長期使用時には導電釉が抵抗変化する可能性も指摘されている。導電釉の抵抗変化の原因として、導電釉薬内部の電流集中による発熱、釉薬表面の湿潤部での部分放電などが考えられているが、不明な点も多い。そこで、導電釉の抵抗変化のメカニズムを解明するために板状磁器上に酸化錫系導電釉を施した試料を用い、部分放電特性を定量的に評価した。その結果、ピッティング試料の方が部分放電開始電圧が低くなった。卒業式のため、２３日の発表は避けていただきたくお願いいたします。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 119 Kバイト