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高繰り返し運転可能な半導体化IGの開発(3)

高繰り返し運転可能な半導体化IGの開発(3)

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-193

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Development of High repetitive Impulse Generator using Semiconductor Switches(3)

著者名: 吉田 一哉(埼玉大学),前山 光明(埼玉大学)

著者名(英語): Kazuya Yoshida(Saitama University),Mitsuaki Maeyama(Saitama University)

キーワード: パルスパワー|マルクス発生器|固体化電源|インパルス発生器

要約(日本語): インパルス電圧装置のスイッチ部分にサイリスタを用いた、半導体化IGを開発した。このIGは、IG各段のコンデンサを高速共振充電方式を利用しているため、理論的充電効率100%、10kHz程度までの繰り返し運転が可能である。今発表では、充電電圧制御スイッチの高電圧化による出力電圧の向上、および、この高出力電圧条件での繰り返し特性について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 126 Kバイト

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