パルスパワー動作時の半導体デバイスに与える磁界の効果

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-198

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Effect of magnetic field on semi-conductor power devices in pulsed power operation

著者名: 田村 幸彦(東京工業大学),松本 康寛(東京工業大学),青木 喬(東京工業大学),井深 真治(東京工業大学),安岡 康一(東京工業大学),石井 彰三(東京工業大学)

著者名(英語): Yukihiko Tamura(Tokyo Institute of Technology),Yasuhiro Matsumoto(Tokyo Institute of Technology),Takashi Aoki(Tokyo Institute of Technology),Shinji Ibuka(Tokyo Institute of Technology),Koichi Yasuoka(Tokyo Institute of Technology),Shozo Ishii(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 磁界|パルスパワー

要約(日本語): パルスパワー分野においては、動作信頼性が高く、長寿命・繰り返し動作可能な半導体スイッチが放電型スイッチに置き換わっている。しかし、通電可能な最大電流値は、デバイス内特定セグメントに電流が集中することによって制限されている。また、局所的大電流により生じる磁界はデバイス内のキャリア分布に影響すると考えられる。半導体に与える磁界の効果としては、ホール効果、磁気抵抗効果が知られているが、これまでパルスパワー動作時の半導体パワーデバイスに与える磁界の影響は考慮されてこなかった。本研究では、pinダイオードを用いてパルスパワー動作時の半導体デバイスに与える磁界の影響を実験的に検討した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 130 Kバイト