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ガスパフプラズマガンをイオン源としたパルスイオンビーム加速器の開発

ガスパフプラズマガンをイオン源としたパルスイオンビーム加速器の開発

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-200

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Development of Pulsed Ion Beam Accelerator Using An Ion Source of Gas-Puff Plasma Gun

著者名: 手島 怜(富山大学),前坪 洋介(富山大学),土居 弥寿彦(富山大学),大上 達也(富山大学),北村 岩雄(富山大学),高橋 隆一(富山大学),升方 勝己(富山大学),田中 保宣(産業技術総合研究所),田上 尚男(産業技術総合研究所),荒井 和雄(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Rei Tejima(Toyama University),Yousuke Maetsubo(Toyama University),Yasuhiko Doi(Toyama University),Tatsuya Okami(Toyama University),Iwao Kitamura(Toyama University),Takakazu Takahashi(Toyama University),Katsumi Masugata(Toyama University),Yasunobu Tanaka(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hisao Tanoue(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kazuo Arai(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: イオンダイオード|ガスパフプラズマガン|イオンビーム|パルスパワー

要約(日本語): 大強度パルスイオンビーム(PIB)は核融合や材料科学など幅広い応用領域を持っている。特に、PIBを半導体材料へ照射した場合、イオン注入と同時にターゲットの表面層のみをアニール処理できることからPIB は高融点材料へのイオン注入技術として期待されている。本研究では、高純度、高エネルギーのPIB 発生を目的として、イオン源にガスパフプラズマガンを用いたイオンダイオードの開発を行っている。昨年度まで本研究ではフラッシオーバ型のイオン源を用いて実験をしてきたが、その発生イオンの純度に限界があった。そのため本年度からはガスパフ方式の同軸プラズマガンをイオン源に実験を行っている。今回はその原理と特性について発表する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 126 Kバイト

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