半導体レーザ光の差周波発生による赤外線吸収計測

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-257

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): I-R absorption spectroscopy by difference frequency generation using laser diodes

著者名: 大原 忍(東海大学),高橋 正雄(東海大学),芦沢 弘明(東海大学),手塚太郎 (東海大学),山口 滋(東海大学),藤岡 知夫(東海大学)

著者名(英語): Shinobu Ohara(Tokai University),Masao Takahashi(Tokai University),Hiroaki Ashizawa(Tokai University),Taro Tezuka(Tokai University),Shigeru Yamaguchi(Tokai University),Tomoo Fujioka(Tokai University)

キーワード: 差周波発生|吸収分光|PPMgLN

要約(日本語): 市販の波長980nm、780nmの半導体レーザを光源として、擬似位相整合による差周波発生を確認し、N2Oの吸収スペクトルを測定した。シングルモードファイバー結合の2つの半導体レーザの出力をWDMカップラーで合成し、周期反転分極MgOドープLiNbO3(PPMgLN)に入射させて、4mmの差周波光を発生させた。980nm光、780nm光の出力がそれぞれ50mW、5mWのとき、0.37mWの差周波光出力を得た。この光をN2O封入の100mmの吸収セルに通して吸収スペクトル測定を行った結果、吸収スペクトルの測定値は144.5MHzであった。これは、理論的な線幅（ドップラー幅）137.4MHzにほぼ等しく、十分狭帯域な光源を実現できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 122 Kバイト