XLPEにおける課電劣化開始電圧に対するn-ヘキサン含浸の効果

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-039

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Effect of n-hexane Impregnation on Degradation Initiation Voltage in XLPE

著者名: 鈴木 豪(名城大学),清水 教之(名城大学)

著者名(英語): Takeshi Suzuki(Meijo University),Noriyuki Shimizu(Meijo University)

キーワード: フリーボリューム|電子加速|液体含浸|高電界劣化

要約(日本語): ポリエチレンに含まれるフリーボリュームにおける電子加速が交流電気トリー発生を引き起こす事はすでに報告している。また、フリーボリュームにおける電子加速を妨げる目的でXLPEにドデシルベンゼンやn-ヘキサンを含浸させ、トリー発生電圧を格段に上昇させた実験結果も報告した。含浸試料においては、電圧印加してもトリーは発生しないが劣化領域が形成されていた。この劣化領域の形成は含浸量の増加により抑制される事が確認された。本研究では、XLPEにおける課電劣化開始電圧に対するn-ヘキサン含浸の効果について検討を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 157 Kバイト