針-平板電極系におけるポリイミドLB超薄膜の帯電及び絶縁破壊電圧特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-139

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Electrostatic Properties and Breakdown Voltage of Ultra-thin Polyimide Languir-Blodgett Films Biased Under at Needle-Plane Electrode System

著者名: 池堂 弘志(九州産業大学),百田 誠(九州産業大学),福澤 雅弘(九州産業大学),岩本 光正(東京工業大学)

著者名(英語): Hiroshi Ikedo(Kyushu Sangyo University),Makoto Momota(Kyushu Sangyo University),Masahiro Hukuzawa(Kyushu Sangyo University),Mitsumasa Iwamoto(Tokyo Inst. of tech)

キーワード: 絶縁破壊|変位電流|ラングミュア・ブロジェット (LB) 膜|ポリイミド

要約(日本語): 金属-有機材料界面での帯電現象は電気・電子工学分野において大変興味深い。今回の研究では、我々は針-平板電極系において金属(Al、Cu、Au)上の熱処理を施したポリイミドLB膜に、様々な電圧を印加して変位電流測定を行った。また、球-平板電極系においての電流測定も行った。この測定において、ポリイミドLB膜の帯電及び絶縁破壊現象は、膜の層数、印加電圧、温度、仕事関数等に依存した結果が得られた。これらの結果から、ポリイミドLB膜の絶縁破壊機構と電子界面帯電現象は、下部電極からポリイミドLB膜への電子の移動によって、LB膜が帯電することを考慮に入れて検討及び考察を行ったので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 196 Kバイト