プラズマCVD法によるSiO2基板上へのSiC薄膜の生成

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-151

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Preparation of Silicon Carbide on SiO₂ substrate by plasma CVD

著者名: 中島 史人(信州大学),林部 林平(信州大学),上村 喜一(信州大学),小沼義治 (信州大学)

著者名(英語): Fumihito Nakajima(Shishu University),Rinpei Hayashibe(Shishu University),Kiichi Kamimura(Shishu University),Yoshiharu Onuma(Shishu University)

キーワード: SiC|プラズマCVD|薄膜

要約(日本語): Siを用いたデバイスの開発は、Si物性値の理論的限界にまで達しているため、次期材料の開発が望まれている。このような状況の下、禁制帯幅が大きく熱的・化学的に安定であるSiCは、次世代の耐環境性デバイス用材料などとして注目されている。SiCの生成には通常2000℃以上の高温過程が必要であるが、プラズマCVD法を用いれば通常より低い温度でのSiC薄膜の生成が可能である。本研究では、ガスソースとして、SiH₄より安全で取り扱いやすいSiH₂Cl₂ 2を用いて結晶性SiC薄膜を生成し、その結晶学的・化学的・電気的評価を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 131 Kバイト