プラズマ化学気相堆積法によるハフニウムおよびジルコニウムシリケートの成膜とその評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-153

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Fabrication of hafnium and zirconium silicate films by plasma-enhanced chemical vapor deposition and their characterization

著者名: 加藤宙光 (早稲田大学),片桐 孝浩(早稲田大学),南向 智広(早稲田大学),宮川 武(早稲田大学),大木義路 (早稲田大学),薛光洙 (理化学研究所)

著者名(英語): Hiromitsu Kato(Waseda University),Takahiro Katagiri(Waseda University),Tomohiro Nango(Waseda University),Takeshi Miyagawa(Waseda University),Yoshimichi Ohki(Waseda University),Kwang Soo Seol (RIKEN)

キーワード: プラズマ化学気相堆積|ゲート絶縁膜|高誘電率|ハフニウムシリケート|ジルコニウムシリケート

要約(日本語): 次世代のCMOSトランジスタにおけるゲート絶縁膜としてHf_xSi_(1-x)O_yおよびZr_xSi_(1-x)O_y膜が注目されている。我々はプラズマ化学気相堆積法により両者の成膜を試み、得られた膜の物性評価を行った。XPS解析よりSi-O結合およびHf-O結合またはZr-O結合から構成されるシリケート構造であることを確認した。組成比xの増加にしたがい比誘電率は増加し、禁制帯幅は減少した。同じ組成比xで比較すると、Zr_xSi_(1-x)O_yより高誘電率であり禁制帯幅が大きいHf_xSi_(1-x)O_yの方が、次世代のゲート絶縁材料として適切であることを明らかにした。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 153 Kバイト