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FABスパッタリングによる金薄膜における抵抗温度係数

FABスパッタリングによる金薄膜における抵抗温度係数

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-154

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Temperature Coefficient of Resistance of Au Film Sputtered by FAB

著者名: 榊原 剛(中央大学),増田 康宏(中央大学),赤木 正宣(中央大学),橋本 雄一(キャノン)

著者名(英語): Takesi Sakakibara(Chuo University),Yasuhiro Masuda(Chuo University),Masanobu Akagi(Chuo University),Yuichi Hashimoto(Canon Inc.)

キーワード: 金属薄膜|FABスパッタリング|抵抗の温度係数

要約(日本語): 中性アルゴンビームのスパッタリングによって得られた金薄膜は、厚さが50nm程度あるにもかかわらず、高い抵抗値を示し抵抗の温度係数は負である。この金を熱処理し、金属の伝導性を示すまでの抵抗変化を測定し、その導電機構について検討を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 135 Kバイト

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