炭素薄膜の諸物性に及ぼすガス圧依存性
炭素薄膜の諸物性に及ぼすガス圧依存性
カテゴリ: 全国大会
論文No: 2-161
グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集
発行日: 2002/03/26
タイトル(英語): Dependence of Discharge Gas Pressure on Physical Properties of Carbon Thin Films
著者名: 渋谷 光司(日本大学),新妻清純 (日本大学),移川 欣男(日本大学)
著者名(英語): Kouji Shibuya(Nihon University),Kiyozumi Niizuma(Nihon University),Yoshio Utsushikawa(Nihon University)
キーワード: 直流アーク放電|N2+10%H2プラズマ|炭素薄膜|磁化値
要約(日本語): 炭素の結晶であるグラファイトは反磁性を示すことから炭素系物質は磁気的性質に関して興味を持たれていなっかた。しかし、1987年Ovchinnikovらによって有機系物質で磁性を有することを報告して以来、磁性を示す炭素系物質に関する研究が行われている。そこで本研究では、Fe、Co、Ni等の遷移金属を有しない高純度グラファイトをN2+10%H2プラズマ中で直流アーク溶解炉を用いて炭素薄膜を作製し、磁化値Mの向上を目的として磁性を示す炭素薄膜の放電ガス圧と電気的磁気的性質について検討した。作製した炭素薄膜の結果を要約すると次の通りである。(1)炭素薄膜の磁化値Mは放電ガス圧の増加と伴に増加し、60Paにおいて最大値2.11×10-7Wb・m/kgを示した。(2)炭素薄膜の電気抵抗率ρは放電ガス圧の増加に伴い減少し、60Paにおいて最小値1.88×103Ω・mを示し原材料であるグラファイトの電気抵抗率(ρ=1.6×10-5Ω・m)と比較して約8桁以上大きな値を示した。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 171 Kバイト
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