(CoFeB)-(SiO2)超高電気抵抗磁心膜の軟磁気特性とナノ構造

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-164

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Soft Magnetic properties and Nano-Structure of (CoFeB)-(SiO2) Thin Film Core with Ultra-High Electrical Resistivity

著者名: 宗像誠(崇城大学),本山真潮(デルタワークス),八木正昭(崇城大学),伊藤哲夫(東北学院大学),島田寛(東北大学),山口正洋(東北大学),荒井賢一(東北大学),並河雅志(崇城大学)

著者名(英語): Makoto Munakata(Sojo Univ Energy Electronics laboratory),Masio Motoyama(Delta Works),Masaaki Yagi(Sojo Univ Energy Electronics laboratory ),Tetuo Itou(Tohoku Gakuin University),Hirosi Simada(Research Institute of Electrical C),Masahiro Yamaguti(Research Institute of Electrical C),Keniti Arai(Research Institute of Electrical C)

キーワード: 高電気抵抗|軟磁性|GHz|薄膜磁心|薄膜インダクタ

要約(日本語): カルセール型3元同時スパッタ法によりCo36Fe46B14膜にSiO2を添加し，軟磁性膜の高電気抵抗化を試みた結果，100,000 μΩcm以上の超高電気抵抗軟磁性膜を得ることができた．この膜の異方性磁界は 250 Oe, 困難磁化軸方向の保持力は 3.5 Oe, 飽和磁化は8.3 kG であった．この膜についてX線回折，透過電子顕微鏡による構造分析を行った結果，大きさ20-30オングストロームのCoFeB磁性粒子の周りをアモルファスのSiO2相が厚く相分離して取り囲むヘテロアモルファス構造であることがわかった．本公演では，以上の内容について実験結果を詳しく述べ，超高電気抵抗の原因について定性的な考察を行う．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 292 Kバイト