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逆磁歪効果による異方性制御を利用した薄膜磁界センサ

逆磁歪効果による異方性制御を利用した薄膜磁界センサ

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-192

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Magnetic Thin-Film Sensor Using Anisotropy Control by Inverse Magnetostrictive Effect

著者名: 馬渡 宏(東北大学),石山 一志(東北大学),荒井 賢一(東北大学)

著者名(英語): Hiroshi Mawatari(Tohoku University),Kazushi Ishiyama(Tohoku University),Kenichi Arai(Tohoku University)

キーワード: 高磁歪薄膜|異方性制御|逆磁歪効果

要約(日本語): 高い磁気機械結合定数を有するFeCoSiBアモルファス磁性薄膜を利用して磁界センサを作製した。FeCoSiB薄膜は、応力を加えることにより逆磁歪効果を利用して磁気異方性を制御することができる。そのため、本研究で作成したセンサは外部からの応力印加によりセンサの外部磁界依存性の制御が可能となる。本報告では、FeCoSiB薄膜をスパッタにより製作し、微細加工と熱処理を施すことでセンサを作製し、センサ特性の印加応力依存性について詳細に検討した結果を報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 149 Kバイト

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