単結晶シリコンナノワイヤーブリッジのピエゾ抵抗効果の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-110

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Evaluation of piezoresistance in single crystal silicon nano wire bridge

著者名: 船井 大輔(立命館大学),鳥山 寿之(NEDO),杉山 進(立命館大学)

著者名(英語): Daisuke Funai(Ritsumeikan University),Tosiyuki Toriyama(NEDO),Susumu Sugiyama(Ritsumeikan University)

キーワード: ナノワイヤーブリッジ|単結晶シリコン|ピエゾ抵抗効果

要約(日本語): エレクトロンビーム直接描画とRIEを用いてSIMOX基板のシリコン層（～50nm）にナノワイヤーを製作した。次にBOX層（～150nm）を犠牲層に用いることによりナノワイヤーブリッジを製作した。製作したナノワイヤーブリッジの寸法は幅～50nm、厚さ～50nm、長さ～3μmと幅～100nm、厚さ～50nm、長さ～3μmである。SIMOX基板のカンチレバーを用いてナノワイヤーブリッジに応力を作用させた。FEM応力解析によりナノワイヤーブリッジに作用する応力を解析した。解析した応力値と計測した抵抗変化からナノワイヤーブリッジのピエゾ抵抗効果を調べ、ピエゾ抵抗素子として十分機能することを確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 291 Kバイト