平行平板型RF-MEMSリレーの特性解析
平行平板型RF-MEMSリレーの特性解析
カテゴリ: 全国大会
論文No: 3-169
グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集
発行日: 2002/03/26
タイトル(英語): Characteristic analysis of parallel flat board type RF-MEMS relay
著者名: 橋本 琢万(同志社大学),石原 好之(同志社大学),戸高 敏之(同志社大学),原田 和郎(同志社大学),平田 勝弘(松下電工),光武 義雄(松下電工)
著者名(英語): Takuma Hashimoto(Doshisha University),Yosiyuki Ishihara(Doshisha University),Yoshiyuki Todaka(Doshisha University),Kazurou Harada(Doshisha University),Katsuhiro Hirata(Matsushita Electric Works),Yoshio Mitsutake(Matsushita Electric Works)
キーワード: RF-MEMSリレー|モーメント法|FDTD法|アイソレーション|インサーションロス|数値解析
要約(日本語): RF-MEMSリレーの構造は微細であり,リレー特性に関する最適設計には数値解析を行う事が有効となる.RF-MEMSリレーの重要な特性にはアイソレーションとインサーションロスがあり,アイソレーション解析にはモーメント法が,インサーションロス解析にはFDTD法が適した解析方法であることを提案した.また,モーメント法では四重積分の解析解を用いた相互イミッタンス計算を行う事で, FDTD法では不等間隔メッシュ法を用いてモデリングを行う事で計算の高速化を行った.各数値解析結果より本手法の有効性が示され,MEMS技術で製作される種々のデバイスにおける特性解析に対しても適用可能であると考える.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 225 Kバイト
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