平型IGBT素子内部電流の測定

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-010

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Mesurment of Current in Flat-Packaged IGBT Device.

著者名: 石山 泰士(富士電機総合研究所),降矢 正保(富士電機総合研究所),笹川 清明(富士電機総合研究所),江口 直也(富士電機総合研究所)

著者名(英語): Yasuo Ishiyama(Fuji Electric Corporate Research and Development,Ltd.),Masaho Furuya(Fuji Electric Corporate Research and Development,Ltd.),Kiyoaki Sasagawa(Fuji Electric Corporate Research and Development,Ltd.),Naoya Eguchi(Fuji Electric Corporate Research and Development,Ltd.)

キーワード: ロゴスキーコイル|平型素子

要約(日本語): 大容量のIGBT素子では，内部で複数のパワー半導体チップ（IGBT及び還流ダイオード）が並列に接続されている。このような素子において，電流バランスの均一化は極めて重要である。今回、平型圧接素子を用いて，内部に並列に接続されたチップを，試作したロゴスキーコイルCTにより，電流を測定した。ロゴスキーコイルCTにより，各チップの電流を測定できることが確認できた。また，チップ電流合成値とピアソンCTで測定した電流とを比較すると一致する。試作したロゴスキーコイルCTを用いることで，非常に限られた空間或は圧接した素子においても電流を測定することが可能である。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 165 Kバイト