TOPSダイオードの低電流逆回復特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-012

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Low Current Reverse Recovery Characteristics with Trench Oxide PiN Schottky(TOPS) Diode

著者名: 内藤 達也(富士電機総合研究所),根本 道生(富士電機総合研究所),西浦 彰(富士電機総合研究所),大月正人 (富士電機),桐沢 光明(富士電機),関 康和(富士電機)

著者名(英語): Tatsuya,Naito|Michio,Nemoto|Akira,Nishiura|Masahito,Otsuki|Mitsuaki,Kirisawa|Yasukazu,Seki

キーワード: ダイオード|IGBT|ソフトリカバリー|逆回復

要約(日本語): IGBTモジュールに用いられるFWD(Free Wheeling Diode)においてさらなる特性改善が求められている。特にIGBTモジュールで発生する放射ノイズの主たる原因である低電流でのターンオン動作にFWDのソフトリカバリー特性は必要不可欠である。TOPS(Trench Oxide PiN Schottky)ダイオードの低電流逆回復特性について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 131 Kバイト