マルチクランプレベル式高速アクティブ制御ゲート回路によるIGBT直列接続

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-013

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Series Connected IGBTs with Fast Active Control Gate Drive Circuit in Mult-Clamp Level

著者名: 中武 浩(三菱電機),角田 義一(三菱電機),岩田 明彦(三菱電機)

著者名(英語): Hiroshi Nakatake(Mitsubishi Electric Corporation),Yoshikazu Tsunoda(Mitsubishi Electric Corporation),Akihiko Iwata(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: IGBT|IGBT直列接続|アクティブ制御ゲート回路|マルチクランプレベル

要約(日本語): IGBTの直列接続時に、直列接続IGBT間の電圧分担が不均一になり、IGBTの耐圧以上の電圧がIGBTに印加されると、IGBTは破壊される。スナバを用いずに、IGBTのターンオフ時やダイオードリカバリ時の過電圧を抑制し、IGBTの高速スイッチング特性を損なわない方式を開発した。その機能を持つアクティブ制御ゲートドライブ回路は、dVce/dt検知回路、ピーク電圧検知回路、定常電圧検知回路からなる。dVce/dtに比例して動作するdVce/dt検知回路を持つため、その動作開始電圧を低く設定すれば、ダイオードリカバリ時等の高いdVce/dtの場合でも過電圧を抑制することが可能である。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 178 Kバイト