SiC-GTOのターンオフ・シミュレーション

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-014

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Turn-off Simulation of SiC-GTO

著者名: 坂田 博(愛媛大学),ムハマッドザヒム (愛媛大学)

著者名(英語): Hiroshi Sakata(Ehime University),Zahim Muhamad(Ehime University)

キーワード: SiC|GTO|FEM|デバイス・シミュレーション|ターン・オフ

要約(日本語): Siの次世代の材料と見られる、SiCを用いたGTOについて、FEMを用いた1次元及び2次元のデバイス・シミュレーションを行なった。そのスイッチングにおけるターンオフ時間及び損失が、大幅に短縮・減少する、文献の実験結果とも符合する結果を得た。ハードドライブ・ゲートや局所ライフタイム制御などによる、短縮・減少効果と比較検討する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 103 Kバイト