IGBT並列駆動時のゲート発振現象の解析・対策

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-019

グループ名: 【全国大会】平成14年電気学会全国大会論文集

発行日: 2002/03/26

タイトル(英語): Analysis and Suppression of Gate Voltage Oscillations in parallel IGBTs Operation

著者名: 大井 健史(三菱電機),岩田 明彦(三菱電機),新井 規由(三菱電機)

著者名(英語): Takeshi Ohi(Mitsubishi Electric Corporation),Akihiko Iwata(Mitsubishi Electric Corporation),Kiyoshi Arai(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: IGBT|パワーモジュール|ゲート発振現象|並列駆動|小信号解析

要約(日本語): IGBT並列駆動時のゲート発振現象の解析・対策 IGBT短絡時のゲート発振現象は、デバイス破壊原因のひとつであり、そのメカニズムの解明、対策は重要である。筆者らは特にIGBT並列駆動時のゲート発振現象に注目し、IGBT並列回路が短絡時に、帰還発振器を構成していると想定した小信号応答解析を実施した。その結果、発振抑制のためには（1）並列ゲート間抵抗の増大、（2）並列エミッタ間インダクタンスの低減が有効であるとの結果を得た。また、これら2つの対策を施したサンプルを試作し、発振抑制効果を実験的に確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 170 Kバイト