レーザアブレーション法によるp-DLC/n-Si太陽電池の創製

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-137

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): The invention of the Boron dope DLC solar cell by YAG Laser Ablation Method

著者名: 田中 慶彦(日本大学),工藤 智彦(日本大学),鈴木 薫(日本大学)

著者名(英語): Yoshihiko Tanaka(Nihon University),Tomohiko Kudo(Nihon University),Kaoru Suzuki(Nihon University)

キーワード: アブレーション|太陽電池|DLC

要約(日本語): 近年、環境破壊の原因である化石燃料が問題視されているため、化石燃料に代わる新たなエネルギーが必要となってきており、クリーンなエネルギーである太陽エネルギーに注目が集まっている。そこで著者等はDLC薄膜のアモルファス半導体特性に着目し、研究を行っている。従来の成膜法としてプラズマCVD（Chemical Vapor Deposition）法があげられるが、p型作成にはドープガスにB2H6を用い、n型作成にはPH3が主に使用されているがこれらのガスは毒性があるため、排気設備等に莫大な費用がかかるため、工業面においては非常に厳しいものがある。そこで我々は、ｐ型DLCを創製するためにボロンを混入した炭素をバルクとし、レーザアブレーション法にてボロンドープを試みた。今回は作成した膜の物性について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 718 Kバイト