ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタリング法によるＧａＳｂxＮ1-x薄膜の基礎特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-140

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Fundamental Properties of GaSbxN1-x Thin Film Prepared by RF Plasma asisted Magnetron Sputtering Method

著者名: 玉田 耕治(東京工業高等専門学校),山田 弘(岩手大学),馬場 守(岩手大学),野城 清(大阪大学)

著者名(英語): Koji Tamada(Tokyo National College of Technology),Hiroshi Yamada(Iwate University),Mamoru Baba(Iwate University),Kiyoshi Nogi(Osaka University)

キーワード: 薄膜|スパッタリング|光学的特性|窒化ガリウム|ガリウムアンチモン

要約(日本語): 近年、ＧａＮ系発光ダイオードの出現により高輝度青色の物が比較的安価に手に入るようになってきた。光の三原色のＬＥＤができ、ＬＥＤディスプレイも製作されてきているが、高輝度の青色のＬＥＤと比して緑色のモノはまだ波長的にも純粋ではなく、また輝度も弱い。ガリウムアンチモン（ＧａＳｂ）はエネルギーギャップ0.68eVの赤外線領域の光センサー材料として研究されてきている。このＧａＳｂに窒素ガスを用いた反応性スパッタリング法を用いることにより３元系の緑色波長領域の材料を生成できると考える。本研究はＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタリング装置を用いてＧａＳｂｘＮ１?ｘ薄膜の作製を行って、その基礎特性を評価した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 654 Kバイト