ＡＩＰ法によるＴｉＮ薄膜の作製と評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-141

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Fabrication and evaluation of TiN films by arc ion plating method

著者名: 佐藤 成(東京工業高等専門学校),玉田 耕治(東京工業高等専門学校),野城 清(大阪大学)

著者名(英語): Naru Sato(Tokyo National College of Technology),Koji Tamada(Tokyo National College of Technology),Kiyoshi Nogi(Osaka University)

キーワード: 薄膜|AIP|電気的特性|TiN|電気材料

要約(日本語): 窒化チタン(TiN)は黄金色を有し、高硬度やその耐磨耗性などの特徴から主にコーティング膜として、また半導体技術における拡散障壁としても広く産業界で用いられている。今までにTiNの電気的特性に関する研究は行われており、その抵抗率の低さにより電極膜としての利用も期待できる。だが電気材料としてのTiNの研究はその殆どがスパッタリング法により行われており、AIP法によるものはほぼ無いと言ってもよい。そこで、本研究ではAIP法を用いてTiN膜を作製し、その膜特性を評価すると共に電気材料としての可能性について考察した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 825 Kバイト