N2OガスによるSi(100)表面の初期熱酸化過程

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-142

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Initial Thermal Oxidation of Si(100) with N₂O

著者名: 遠田 義晴(弘前大学),原口 理(弘前大学),中澤 日出樹(弘前大学),村田 威史(東北大学)

著者名(英語): Yoshiharu Enta(Hirosaki University),Osamu Haraguchi(Hirosaki University),Hideki Nakazawa(Hirosaki University),Takeshi Murata(Tohoku University)

キーワード: 熱酸化|シリコン表面|亜酸化窒素|内殻準位|放射光

要約(日本語): N₂OガスによるSi(100)表面の初期熱酸化過程を放射光を用いたSi 2p内殻準位の表面化学シフトスペクトルにより調べた。酸化条件は酸化温度が350℃から720℃、N₂Oガスの圧力は5x10^-5Torrである。Si 2p内殻準位をピーク分離して各成分強度の酸化時間変化を解析した結果、酸化温度が600℃以下の低温領域では酸化速度がラングミュア吸着的であるのに対し、600℃以上の高温領域では核形成反応に依存する酸化過程であり、O₂ガスを用いた熱酸化と同様の素過程であることがわかった。低温領域での酸化速度は、N₂O酸化のほうがO₂酸化より温度に大きく依存することも明らかになった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 762 Kバイト