厚膜化した高周波キャリア型薄膜磁界センサ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-178

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): High Frequency Carrier Type Magnetic Field Sensor with Thick Film

著者名: 馬渡 宏(東北大学),薮上 信(東北大学),山口 正洋(東北大学),荒井 賢一(東北大学)

著者名(英語): Hiroshi Mawatari(Tohoku University),Shin Yabukami(Tohoku University),Masahiro Yamaguchi(Tohoku University),Kenichi Arai(Tohoku University)

キーワード: 薄膜磁界センサ|磁区構造|還流磁区|一軸異方性

要約(日本語): 高周波キャリア型薄膜磁界センサにおいて、センサ素子の高感度化のためにCoNbZr薄膜の膜厚を約5μmまで厚膜化して、インピーダンス特性と磁区構造を検討した。膜厚4.2 μmの素子においては、容易軸はほぼ素子の幅方向に誘導できているが、4.6 μmの素子では若干の還流磁区が観察されこれがインピーダンス変化率の低下と考えられる。4.9 μm, 5.3 μmの素子においては素子面積に対して還流磁区の面積割合が20～25 ％と大きくなった。これは膜厚の増大により還流磁区の面積が増大して、磁化困難軸方向への励磁と同様の磁化過程となり、インピーダンス変化率が減少したと考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,619 Kバイト