ゲート酸化膜保護用ダイオードを設けたMOSゲートトンネルトランジスタの検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-003

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Study on MOS gate tunnel-transistor with gate oxide protecting diode

著者名: 佐藤 貴一(東北学院大学),木村 光照(東北学院大学)

著者名(英語): takakazu satou(Tohokugakuin University),mitureru kimura(Tohokugakuin University)

キーワード: MOSFET|トンネル電流|トンネル接合|ショットキー接合|短チャネル効果

要約(日本語): これまで我々は，短チャネル効果のブレークスルーデバイスとして、ソースのショットキ電極とｎ＋ドレインとのショットキトンネル接合を持つMOSゲートショットキトンネルトランジスタを提案し試作・検討を行ってきた。しかしゲート酸化膜が静電破壊を起こしてしまい、測定時に手間がかかる上に歩留まりが非常に悪かった。そこで今回はSOI基板を用いて素子分離されたｎ＋ｐｎ＋ダイオードをゲート?ドレイン間に設けることで過電圧がゲートに直接印加されないようにして、ゲート酸化膜を保護出来る構造で試作・検討を行ったので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 6,001 Kバイト