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IC化可能なSiダイオード磁気センサの高感度化の検討

IC化可能なSiダイオード磁気センサの高感度化の検討

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-102

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Study on High Magnetic Sensitivity of IC Compatible Si Magnetodiode

著者名: 瀬野尾 和隆(東北学院大学),木村 光照(東北学院大学)

著者名(英語): Kazutaka Senoo(Tohokugakuin University),Mitsuteru Kimura(Tohokugakuin University)

キーワード: 磁気ダイオード|SOI|二重注入|センサ|半導体

要約(日本語): これまで我々は,SOI基板を用いた磁気ダイオードの諸特性について報告してきたが,高い感度を得るためには比較的高い電圧が必要であり,低磁場での感度を得ることが難しかった。そこで今回,低電圧化及び,高感度化の検討について行った。本磁気ダイオードのアクティブ領域の長さを短くすることにより数Vの駆動電圧で1kOeにおいてΔI/I0=10%程度の電流変化を得ることができた。また,本磁気ダイオードに磁性体を磁束収束板 (Flux Concentrator)として取り付けることによって,地磁気程度の磁場の検出が可能となった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 703 Kバイト

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