第IV世代 超低オン抵抗Nch U-MOSFET

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-001

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Ultra Low On-Resistance N-Channel Trench Gate MOSFET by using Fourth Generation Technology

著者名: 帆玉信一 (東芝),松木宏文 (東芝),松田正 (東芝),伊野孝佳 (東芝)

キーワード: 超低オン抵抗|トレンチゲートMOSFET|埋込層間膜

要約(日本語): モバイル機器の急成長に伴い、低RonのパワーMOSFET開発要求が強まっている。今回、これら市場向けに開発した第〓世代超低オン抵抗NchトレンチMOSFET開発結果に付いて発表する。第〓世代構造では、ゲートとソース電極を分離させる層間膜をトレンチの中に埋め込む構造を適用した。この構造により、ソース電極はシリコン表面上にフラットに形成され、第〓世代では実現できない微細化を可能にした。Ron・Aは第〓世代に対して20％低減し、Ron・A=15.9mΩ・mm2(@Vgs=4.5V)を達成した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 559 Kバイト