DC/DC際舗粟向 低損ク坪歔型鋪椣MOSFET

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-002

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Low SW Power Loss Trench MOSFET for DC/DC Converters

著者名: 河野 孝弘(東芝),緒方 健一(東芝),高野 彰夫(東芝),船戸 紀秀(東芝),米田 辰雄(東芝)

著者名(英語): Takahiro Kawano(Power Engineering Device Department),Kenichi Ogata(Power Engineering Device Department),Akio Takano(Power Engineering Device Department),Norihide Funato(Power Engineering Device Department),Tatsuo Yoneda(Power Engineering Device Department)

キーワード: 低損失トレンチ型パワーＭＯＳＦＥＴ|ＤＣ／ＤＣコンバータ

要約(日本語): ノート型パソコン、PDA、携帯電話等の携帯機器市場の急伸長により、これらネットワーク関連機器電源に用いられる同期整流型DC/DCコンバータには、低オン抵抗、低ゲート容量の小型・高速パワーMOSFETの要求が強まっている。特に、High Side側のパワーMOSFETを高周波でスイッチングさせた場合、素子損失はSWロスの占める場合が大きく、低オン抵抗だけでなく高速SW化が重要になってきている。今回このような背景の中、我々は大電流、許容損失アップに対応したSOP-Advanceパッケージ搭載の4.5V駆動、30V耐圧、40A定格のNch トレンチ型パワーMOSFETを開発した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 747 Kバイト