U形溝グリッド構造とプレーナ構造の静電誘導整流ダイオードの特性比較

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-003

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Comparisons of Electrical Characteristics of U-Grid Static Induction Rectifiers With Planar Ones

著者名: 矢野 浩司(山梨大学),有馬 孝佳(山梨大学),春日 正伸(山梨大学)

著者名(英語): Koji Yano(University of Yamanashi),Takayoshi Arima(University of Yamanashi),Masanobu Kasuga(University of Yamanashi)

キーワード: パワーデバイス|ダイオード|シミュレーション|静電誘導デバイス

要約(日本語): 我々は、静電誘導デバイスの動作原理を応用した高速、低損失ダイオードである静電誘導整流ダイオード(Static Induction Rectifier: SIrectifier)を提案している。本報告ではSI rectifierの耐圧を改善するためにU形溝グリッド構造を提案し、シミュレーションにより従来のプレーナ形構造の特性と比較した。シミュレーションの結果、プレーナ構造ではグリッド間のチャネルのアクセプタドーズ量を減少させると降伏電圧は急激に減少するのに対し、U溝構造では、チャネルドーズ量を減少させても耐圧は殆ど変化せずpinダイオードと同等の耐圧が得られることがわかった。すなわちU溝構造はp+グリッドからの静電誘導効果を高め、耐圧を向上させるための有効な手段である

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 692 Kバイト