大電流密度スイッチング時におけるSIサイリスタ内部キャリア密度分布測定

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-005

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Measurement of Carrier Density Distribution in a SI Thyristor at High Current Density Switching

著者名: 青木喬 (東京工業大学),井深真治 (東京工業大学),安岡康一 (東京工業大学),石井彰三 (東京工業大学),清水尚博 (日本ガイシ)

キーワード: パルスパワー|SIサイリスタ|自由キャリア吸収法|パワーデバイス

要約(日本語): 半導体スイッチをパルスパワー回路に直接組み込んだ利用を進めるには，通常のパワーエレクトロニクス応用とは異なる視点からの検討が必要であり，特に高電界で大電流密度スイッチング時のデバイス内部におけるキャリア挙動を把握することが重要である。デバイス内キャリア挙動についてシミュレーションを行った例は多いが，キャリア密度そのものを実測した例は非常に少ない。しかし計算結果に加えて，実験データを得ることはデバイスのさらなる性能向上に不可欠である。そこで本研究ではパルスパワー応用の盛んなSIサイリスタの1セグメントを対象に，内部キャリア密度分布の時間空間分布を測定し，大電流密度動作時のキャリア挙動について調べた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 938 Kバイト