p+-SiGeコレクター/n-Siドリフト・ヘテロ接合によるトレンチIGBTの低損失化

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-008

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Reducing operation of trench IGBT by p+-SiGe-collector/n-Si-drift heterojunction

著者名: 工藤嗣友 (九州工業大学),浅野 種正(九州工業大学)

著者名(英語): Tsugutomo Kudo(Kyushu Institute of Technology),Tanemasa Asano(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: トレンチIGBT|Si/SiGeヘテロ接合|高速動作|低損失化

要約(日本語): 近年、IGBTは、低損失かつ高速動作が要求されている。このためには、ターンオフ時に発生するテール電流を抑制する必要がある。本研究では、n-ドリフト領域に注入された正孔をターンオフ時に速やかに排出する構造としてコレクター側にSi/SiGeのヘテロ接合を設けた構造を提案する。本報告では、提案する構造の動作性をデバイスシミュレーションで検討し、提案する構造が通常のSiトレンチIGBTと比較して損失の低減に有効である可能性を示す。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 985 Kバイト