IGBTにおける二次破壊現象のシミュレーション

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-009

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): A Simulation of Secondary Breakdown on IGBTs

著者名: 高田育紀 (三菱電機先端技術総合研究所)

キーワード: IGBT|二次破壊現象|L負荷Turn OFF|シミュレーション|破壊限界|不均一動作

要約(日本語): IGBTのL負荷ターンオフ時の破壊現象の特徴をデバイス・シミュレータで再現することができた。面積の異なるiGBTを並列接続し、小面積iGBTのVthをわずかに小さくすると、ターンオフ時には全電流が小面積IGBTに流れる。この小面積IGBTは、高電圧を保持したまま大電流を流すサスティン動作を開始する。通常のIGBTではサスティン動作のIC-VCE特性が負性抵抗特性であるので、コレクタ電流密度はますます増大し、ついにはサイリスタ動作(ラッチング)を引き起こす。この低Vth IGBTの面積率が小さい場合、瞬間的にコレクタ電圧の低下し、コレクタ電流が増大し始めるという二次破壊の特徴を示す。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,526 Kバイト