高耐圧ＩＧＢＴチップの負荷短絡耐量

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-011

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): A Study on SCSOA of High Voltage IGBT Chip

著者名: 古閑丈晴 (富士電機総合研究所),藤井岳志 (富士電機総合研究所),吉川功 (富士電機総合研究所),山下満男 (富士電機総合研究所)

キーワード: ＩＧＢＴ|短絡耐量|電界強度|電流増幅率

要約(日本語): 4.5ｋＶＩＧＢＴチップ（パンチスルー型）の負荷短絡耐量（ＳＣＳＯＡ）を実測した。試験において、短絡開始の電流ピーク近傍で瞬時破壊する破壊モードが顕著に見られた。調査の結果、ＩＧＢＴチップの飽和電圧が低い程、バッファ層が薄い程、バッファ層濃度が低い程、チップ温度が低い程、短絡耐量は大きいことが確認された。シミュレーションによる解析の結果、ベース層／バッファ層境界部にて、多数キャリア（電子）濃度の増加により、電界強度が非常に強くなり、アバランシェ降伏が発生することが判った。コレクタ側の電流増幅率が低い程、境界部の電界強度は強くなり、短絡耐量が低下すると考えられる。コレクタ側の不純物濃度分布の最適化により、目標の短絡耐量を実現した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,717 Kバイト