dv/dt=105V/μsec級の高周波電力スイッチング素子のドライブ法

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-014

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Driving method of a high dv/dt power switching element

著者名: 竹重 隆正(長岡技術科学大学),高橋 勲(長岡技術科学大学)

著者名(英語): Takamasa Takeshige(Nagaoka University of Technology),Isao Takahashi(Nagaoka University of Technology)

キーワード: 高周波ノイズ|dv/dt

要約(日本語): 近年新たな素子としてSiCが注目を浴び始め，従来のSi素子に比べ，高耐圧，高温動作，低損失であるなど電気的かつ物理的にも優れた性能を持っている。SiCが実用化されれば更なる高周波化が進むことであろう。本稿ではこれから進むであろう高周波化の波に対応するべくdv/dt=105V/μsec 級の性能を有する高周波電力用のFETを用い、2MHzのハーフブリッジインバータを作製することにより、その駆動方式、実装方法について検討した。その結果、本方式は高周波、高速ターンオン、ターンオフ性能を有する素子のドライブ法として有効であることを示した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,352 Kバイト