マトリックスコンバータの素子発生損失とジャンクション温度のシミュレーション結果

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-068

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Simulation result of semiconductor device loss and junction temperature of matrix converter.

著者名: 小高章弘 (富士電機総合研究所),伊東淳一 (富士電機総合研究所),五十嵐征輝 (富士電機総合研究所),江口直也 (富士電機総合研究所)

キーワード: マトリックスコンバータ|逆阻止IGBT|損失|ジャンクション温度

要約(日本語): マトリックスコンバータを構成する半導体素子の発生損失とジャンクション温度のシミュレーション方法について説明した後、シミュレーション結果についての報告を行う。シミュレーションの結果、マトリックスコンバータの入力と出力の周波数が一致した場合は、マトリックスコンバータを構成する1つの半導体素子に損失が集中することが判明した。また、入力周波数に比べ、出力周波数が低い場合は、1つの半導体素子に損失が集中することが無いものの、瞬時発生損失の低周波成分が影響し、ジャンクション温度の上昇が、入出力の周波数が一致した場合に比べて、大きいこと等が判明した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,258 Kバイト