電源・絶縁内蔵トランシーバLSIの開発（エネルギーフロー最適省エネ制御システムの開発）

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-280

グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集

発行日: 2003/03/17

タイトル(英語): Development of a Transceiver LSI with a Regulator and an Isolator

著者名: 秋山 登(日立製作所),菊地 睦(日立製作所),佐瀬 隆志(日立製作所),稲葉 政光(日立製作所),渡辺 篤雄(日立製作所),村林 文夫(日立製作所),工藤 博之(省エネルギーセンター)

著者名(英語): Noboru Akiyama(Hitachi,Ltd.),Mustumi Kikuchi(Hitachi,Ltd.),Takshi Sase(Hitachi,Ltd.),Masamitsu Inaba(Hitachi,Ltd.),Atsuo Watanabe(Hitachi,Ltd.),Fumio Murabayashi(Hitachi,Ltd.),Hiroyuki Kudo(Energy Conversion Center)

キーワード: トランシーバLSI|ネットワーク|スイッチング電源|絶縁カプラ|低消費電力|小形化

要約(日本語): ＳＯＩ基板を用いた高耐圧素子技術と、シリコンチップ上にキロＶ級の絶縁カプラを形成する技術を開発し、代表的なフィールドネットワークであるDeviceNetの仕様を満足する１MHｚトランシーバ動作と１kV以上の絶縁耐圧を１チップで実現した。また、スイッチング電源、電源監視回路のオンチップ化により、電源の低消費電力化と高信頼化が可能となった。これにより、フィールドネットワークのインターフェース部分の実装面積を従来の約半分にすると共に、消費電力を１/５に低減することができた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,763 Kバイト