全面導電釉がいしの釉薬抵抗変化検出に関する検討
全面導電釉がいしの釉薬抵抗変化検出に関する検討
カテゴリ: 全国大会
論文No: 7-036
グループ名: 【全国大会】平成15年電気学会全国大会論文集
発行日: 2003/03/17
タイトル(英語): Basic Investigation on Detection of Resistance Change of Semiconducting Graze for Insulator
著者名: 山田 恭平(名古屋工業大学),水野 幸男(名古屋工業大学),内藤 克彦(名城大学),森 重男(日本ガイシ),鈴木 良博(日本ガイシ)
著者名(英語): Kyohei Yamada(Nagoya Institute of Technology),Yukio Mizuno(Nagoya Institute of Technology),Katsuhiko Naito(Meijo University),Shigeo Mori(NGK Insulators,Ltd.),Yoshihiro Suzuki(NGK Insulators,Ltd.)
キーワード: 導電釉がいし|釉薬|ピット|高調波|漏れ電流
要約(日本語): 全面導電釉がいしは、半導電性釉薬による均圧効果とジュール熱による発熱・乾燥効果により極めて優れた耐汚損特性を有するが、長時間使用時には導電釉が劣化を受ける可能性も指摘されている。筆者らは、電流集中による発熱、部分放電などの観点からその原因を検討してきた。今回、釉薬部を流れる電流の波形から釉薬抵抗変化の検出可能性を検討したので報告する。結果、ピット形成試料では、新品試料では見られない周波数成分の変化が確認された。今後、この周波数成分とピット形成状況との関連、第二高調波発生の原因などに関して実験・検討を進める予定である。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 181 Kバイト
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